[한국반도체] 장비 : CVD (Chemical vapor deposition)

1.의미

 

한국말로 CVD는 화학기상 증착법 (햐~어렵다) 로 불린다.  Target GAS를 주입하고 이를 에너지를 이용하여 화학 결합 반응으로Thini film을 증착하는 방법이다.  1950s 에 이온빔에 표면이 노출된부분이 Thin film에 의해 증착이 되는것을 발견하는 것으로 시작이되었고 , 1965년 AC Glow 방전에 의해 SiOx 필름을  Capacitor에 적용하는게 개발되었다. 

 

  

*Thin Film증착방법 

 Thin Film을 증착하는 여러 방법중 물리적인 방법은 Sputtering과 Evaporation이 있으며 화학적인 방법은 Chemical vapor deposition (CVD)와 Atomic layer despisino (ALD)가 있다. 

일반적으로 sputtering은 Metal증착에 Evaporation은 Anti finger나 OLED같은 박막 유기막증착에 , CVD는 SiNx,SiO2등 무기막에  ALD는 좀 더 고급스런 , 얇은 두께에 투습이나 절연특성을 요구되는 무기막증착에 쓰이게된다. 

Damn!! CVD를 이용하여 성장시킨 다이아몬드 

 

2.원리 

 

CVD는 박막형성 제조의 대표적인 방법으로 박막품질과 도포성이 우수하다.   PECVD (Plasma enhanced CVD)가 대표적으로 초고온의 Plasma를 이용하여 증착하는 방식이다. Gas를 Diffusor를 통해 주입을 하고 Plasma를이용하여 박막에 증착하게된다.   RF Generator로 13.56MHz의 Signal을 만들어 주고 , Matching Box는 PM (Phase magnitude) sensor에서 읽은 값으로 전압을 낮추고 전압, 전류간의 위상차이를 줄이는 방향으로 계산하여 소자를움직이게 합니다.

 플라즈마는 고전압을 유도하여 가스 Breakdown을 일으키는 목적이 큽니다. 

 

 

 

3.CVD 종류 

 

CVD, PVD, PECVD가 있으며 각각 특장점이 있다.